Т. 326, № 5

Вольтамперная характеристика InGaTe₂

Цель работы: Получение и исследование вольтамперной характеристики монокристаллов и тонких пленок соединения InGaTe2 в статическом и динамическом режимах, при различных температурах и при различных площадях контактов. Методы исследования. Монокристаллы InGaTe₂ были выращены методами Бриджмена-Стокбаргера, а тонкие пленки получены с использованием метода конденсации из паровой фазы. Рентгенограммы InGaTe₂ получены на дифрактометре ДРОН-2 в CuKa излучении (l=1,54178C). Параметры элементарной ячейки определили с точностью 0,005C. Вольтамперная характеристика исследована на образцах прямоугольной формы размерами 7´1´1 ммі . Контактами служили I. n и Cu. Ток, снабжающий концы прямоугольных образцов, ориентирован так, что ток через образец протекает вдоль по оси c6 монокристалла InGaTe₂. Вольтамперная характеристика исследовалась на постоянном токе в статическом и динамическом режимах. Результаты: Рентгенофазовым анализом выявлено, что соединение InGaTe2 кристаллизуется в тетрагональной сингонии с параметрами решетки а=8,463C; с=6,981C. Исследовались статическая и динамическая вольтамперные характеристики InGaTe2 при различных температурах, изменение температуры образцов в области отрицательного дифференциального сопротивления, зависимость порогового напряжения от температуры, вольтамперная характеристика тонких пленок InGaTe2 при различных площадях контактов. Выявлено, что данная фаза обладает переключающими свойствами с памятью и с уменьшением температуры величина порогового напряжения увеличивается, в результате S-образная характеристика становится ярко выраженной. Проанализировано изменение порогового напряжения с изменением температуры. Исследовались ВАХ тонких пленок в зависимости от площади и от размера самой пленки. Выявлено, что пленки также обладают переключающими свойствами и с уменьшением площади контактов величина порогового напряжения, при котором происходит переключение, уменьшается. А также изменением температуры и площади контактов управляется величина порогового напряжения. А это означает, что данная фаза может успешно применяться при создании быстродействующих и высокочувствительных приборов.

Ключевые слова:

электронный ресурс, переключения, рентгенофазовый анализ, тонкие пленки, S-образная характеристика, пороговые напряжения, цепочечные структуры, соединения InGaTe₂,

Авторы:

Годжаев Эльдар Мехрали оглы

Абдурахманова Улькар Сардар кызы

Kулиева Самира Оруджкулу кызы

Скачать PDF